根据DIGITIMES的研究报告，伴随着氮化镓通信组件工艺和外延技术的不断完善，现有的散热更好的GaN on SiC结构将向即将试制的外延质量提高的GaN on GaN和GaN on Si结构发展，以支持后续在低轨卫星和智能手机中的6G网络通信应用此外，由于6G网络将整合4G和5G通信的云和边缘计算能力，并提供6G网络更宽的频带，数据传输速率和传输范围，因此也有望提振GaN通信组件在高频和高功率环境下的终端需求
由于通信网络技术的不断升级，它将为人们提供更加便捷的通信生活，从最初的2G语音传输到现在的5G复杂物联网，再到未来集成多种传感器的6G网络6G网络在频谱效率，通信能效，数据传输速率等方面优于5G，且6G具有更宽的网络频段，可支持非陆地通信，有望提升GaN通信组件在6G网络生态系统中的渗透率
本站了解到，GaN通信元件由于其高频和高功率材料特性，适合在恶劣的工作环境中工作，如基站中的功率放大器目前GaN通信器件的结构大多是GaN on SiC异质外延结构，散热条件好DIGITIMES Research认为，未来伴随着GaN器件上同质GaN的出现和Si上GaN外延质量的提高，将逐步应用于低轨卫星，智能手机中的6G网络通信等终端场景
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